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IXCD6006SI-18

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  • IXCD6006SI-18
    IXCD6006SI-18

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  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

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  • IXCD6006SI-18
    IXCD6006SI-18

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • IXCD6006SI-18
    IXCD6006SI-18

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

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  • 69200

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  • IXCD6006SI-18
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  • 深圳市信通吉电子有限公司
    深圳市信通吉电子有限公司

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IXCD6006SI-18 技术参数
  • IXC611S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXC611S1 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 IXC611P1 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 8-PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 IXBF14N250 功能描述:功率驱动器IC 28 Amps 2500V 4.0 V Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXBD4411SI 功能描述:功率驱动器IC 1/2Bridge2A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IXCP10M35S IXCP10M45 IXCP10M45A IXCP10M45S IXCP10M90S IXCP20M35 IXCP20M35A IXCP20M45 IXCP20M45A IXCP30M35 IXCP30M35A IXCP30M45 IXCP30M45A IXCP40M35 IXCP40M35A IXCP40M45 IXCP40M45A IXCP50M35
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