JAN-TX-1N6106A

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JAN-TX-1N6106A 技术参数

JANTX1N6106A 功能描述:TVS DIODE 7.6VWM 14.5VC EAXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:7.6V 电压 - 击穿（最小值）:9.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:14.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:34.5A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:- 标准包装:1 JANTX1N6106 功能描述:TVS DIODE 7.6VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:7.6V 电压 - 击穿（最小值）:9.03V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:15.23V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:32.78A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 JANTX1N6105US 功能描述:TVS DIODE 6.9VWM BSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:6.9V 电压 - 击穿（最小值）:8.22V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:14.07V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:35.44A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 JANTX1N6105AUS 功能描述:TVS DIODE 6.9VWM 13.4VC BSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:6.9V 电压 - 击穿（最小值）:8.65V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:13.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:37.3A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 JANTX1N6105A 功能描述:TVS DIODE 6.9VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:6.9V 电压 - 击穿（最小值）:8.65V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:13.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:37.3A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 JANTX1N6108AUS JANTX1N6108US JANTX1N6109 JANTX1N6109A JANTX1N6109AUS JANTX1N6109US JANTX1N6110 JANTX1N6110A JANTX1N6110AUS JANTX1N6110US JANTX1N6111 JANTX1N6111A JANTX1N6111AUS JANTX1N6111US JANTX1N6112 JANTX1N6112A JANTX1N6112AUS JANTX1N6112US