JAN1N3011RC

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
10 WATT ZENER DIODES

JAN1N3011RC 技术参数

JAN1N3011B 功能描述:Zener Diode 150V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:175 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 114V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JAN1N3009B 功能描述:Zener Diode 130V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:130V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 98.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JAN1N3005B 功能描述:Zener Diode 100V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JAN1N3001RB 功能描述:Zener Diode 68V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:68V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:18 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 51.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JAN1N3000B 功能描述:Zener Diode 62V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:62V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 47.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JAN1N3017C-1 JAN1N3017CUR-1 JAN1N3017D-1 JAN1N3017DUR-1 JAN1N3018B-1 JAN1N3018BUR-1 JAN1N3018C-1 JAN1N3018CUR-1 JAN1N3018D-1 JAN1N3018DUR-1 JAN1N3019B-1 JAN1N3019BUR-1 JAN1N3019C-1 JAN1N3019CUR-1 JAN1N3019D-1 JAN1N3019DUR-1 JAN1N3020B-1 JAN1N3020BUR-1