JAN1N3332R

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JAN1N3332R 技术参数

JAN1N3330B 功能描述:Zener Diode 47V 50W ±5% Stud Mount DO-5 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/158 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 35.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 JAN1N3326B 功能描述:Zener Diode 36V 50W ±5% Stud Mount DO-5 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/158 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 JAN1N3325B 功能描述:Zener Diode 33V 50W ±5% Stud Mount DO-5 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/158 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 JAN1N3323B 功能描述:Zener Diode 27V 50W ±5% Stud Mount DO-5 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/158 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 20.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 JAN1N3314B 功能描述:Zener Diode 15V 50W ±5% Stud Mount DO-5 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/158 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 11.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 JAN1N3612 JAN1N3613 JAN1N3614 JAN1N3644 JAN1N3645 JAN1N3646 JAN1N3647 JAN1N3671A JAN1N3671AR JAN1N3671R JAN1N3673A JAN1N3673AR JAN1N3766 JAN1N3766R JAN1N3768 JAN1N3768R JAN1N3821A-1 JAN1N3821AUR-1