JAN1N4973A

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JAN1N4973A 技术参数

JAN1N4973 功能描述:Zener Diode 43V 5W ±5% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 32.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 JAN1N4972US 功能描述:Zener Diode 39V 5W ±5% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 JAN1N4972DUS 功能描述:Zener Diode 39V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 JAN1N4972D 功能描述:Zener Diode 39V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JAN1N4972CUS 功能描述:Zener Diode 39V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 JAN1N4974DUS JAN1N4974US JAN1N4975 JAN1N4975C JAN1N4975CUS JAN1N4975D JAN1N4975DUS JAN1N4975US JAN1N4976 JAN1N4976C JAN1N4976CUS JAN1N4976D JAN1N4976DUS JAN1N4976US JAN1N4977 JAN1N4977C JAN1N4977CUS JAN1N4977D