JAN1N6391P

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JAN1N6391P 技术参数

JAN1N6391 功能描述:Diode Schottky 45V 22.5A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/553 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:22.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:680mV @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 45V 不同?Vr，F 时的电容:2000pF @ 5V，1MHz 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA（DO-4）工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N6350 功能描述:Zener Diode 120V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:600 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 91V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6349 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 84V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6347 功能描述:Zener Diode 91V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:91V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:270 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 69V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6346 功能描述:Zener Diode 82V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:220 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 62V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6464US JAN1N6465 JAN1N6465US JAN1N6466 JAN1N6466US JAN1N6467 JAN1N6467US JAN1N6468 JAN1N6468US JAN1N6469 JAN1N6469US JAN1N6470 JAN1N6470US JAN1N6471 JAN1N647-1 JAN1N6471US JAN1N6472 JAN1N6472US