JAN2N6306

配单专家企业名单

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说明
操作

JAN2N6306
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
11836
MOT
TO-3
2024+
-
绝对现货

JAN2N6306
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

JAN2N6306
深圳市莱特斯电子科技有限公司
深圳市莱特斯电子科技有限公司
联系人：江先生
电话：19176527791
地址：深圳市福田区赛格广场1609A
资质：营业执照
9600
MSC
标准封装
21+
-
?只做原装进口，承诺假一罚十，授权分销商...

JAN2N6306
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

您是不是要找： JAN2N6308 JAN2N6350 JAN2N6351 JAN2N6353 JAN2N6383 JAN2N6384 JAN2N6385 JAN2N6437 JAN2N6438

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
NPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk

JAN2N6306 技术参数

JAN2N6300 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 8A TO66 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/539 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 4A，3V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-213AA，TO-66-2 供应商器件封装:TO-66（TO-213AA）标准包装:1 JAN2N6299 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/540 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 16mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 4A，3V 功率 - 最大值:64W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-213AA，TO-66-2 供应商器件封装:* 标准包装:1 JAN2N6298 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 8A TO-66 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/540 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 4A，3V 功率 - 最大值:64W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-213AA，TO-66-2 供应商器件封装:TO-66（TO-213AA）标准包装:1 JAN2N6287 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/505 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1250 @ 10A，3V 功率 - 最大值:175W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-204AA（TO-3）标准包装:1 JAN2N6284 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 20A TO-3 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/504 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1250 @ 10A，3V 功率 - 最大值:175W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3 供应商器件封装:TO-3（TO-204AA）标准包装:1 JAN2N6546 JAN2N6547 JAN2N657 JAN2N657S JAN2N6674 JAN2N6675 JAN2N6676 JAN2N6678 JAN2N6756 JAN2N6758 JAN2N6760 JAN2N6762 JAN2N6764 JAN2N6764T1 JAN2N6766 JAN2N6766T1 JAN2N6768 JAN2N6768T1