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JANS1N5550

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  • 标准国际(香港)有限公司
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  • JANS1N5550US
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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Switching 200V 5A 2-Pin Case E
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) - Waffle Pack
JANS1N5550 技术参数
  • JANS1N5418 功能描述:Diode Standard 400V 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/411 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:165pF @ 4V 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N5298-1 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Current Reg. 100V 1.21mA 2-Pin DO-7 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:CURRENT LIMITER DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:CURRENT LIMITER DIODE - Waffle Pack JANS1N4996US 功能描述:Zener Diode 22V 5W ±5% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,E 供应商器件封装:D-5B 标准包装:1 JANS1N4995US 功能描述:Zener Diode 360V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):360V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1400 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 274V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:1 JANS1N4993US 功能描述:Zener Diode 300V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):300V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):950 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 228V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:1 JANS1N5968US JANS1N5969CUS JANS1N5969US JANS1N6125A JANS1N6159AUS JANS1N6309 JANS1N6309C JANS1N6309CUS JANS1N6309D JANS1N6309DUS JANS1N6310C JANS1N6310CUS JANS1N6310D JANS1N6310DUS JANS1N6310US JANS1N6311 JANS1N6311C JANS1N6311CUS
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