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JANS2907A

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  • 制造商
  • Motorola Inc
  • 功能描述
JANS2907A 技术参数
  • JANS1N943BUR-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/157 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANS1N941B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/157 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANS1N938BUR-1 功能描述:Zener Diode 9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/156 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANS1N938B-1 功能描述:Zener Diode 9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/156 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANS1N6761UR-1 功能描述:Diode Schottky 100V 1A Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/586 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):380mV @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:70pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 JANS2N3439U4 JANS2N3439UA JANS2N3440 JANS2N3440U4 JANS2N3440UA JANS2N3499L JANS2N3499L/TR JANS2N3500 JANS2N3501 JANS2N3634UB JANS2N3637 JANS2N3637UB JANS2N3700 JANS2N3763 JANS2N3867 JANS2N4150 JANS2N5004 JANS2N5339U3
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