JANTX1N3327RA

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JANTX1N3327RA 技术参数

JANTX1N3326B 功能描述:Zener Diode 36V 50W ±5% Stud Mount DO-5 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/158 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 JANTX1N3312B 功能描述:Zener Diode 13V 50W ±5% Stud Mount DO-5 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/158 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.1 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 JANTX1N3305B 功能描述:Zener Diode 6.8V 50W ±5% Stud Mount DO-5 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/158 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:0.2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300μA @ 4.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 JANTX1N3295 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 100A Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/246 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:100A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.55V @ 310A 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10mA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AA，DO-8，接线柱供应商器件封装:DO-205AA（DO-8）工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JANTX1N3293 功能描述:Diode Standard 600V 100A Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/246 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:100A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.55V @ 310A 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10mA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AA，DO-8，接线柱供应商器件封装:DO-205AA（DO-8）工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JANTX1N3613 JANTX1N3614 JANTX1N3644 JANTX1N3645 JANTX1N3646 JANTX1N3647 JANTX1N3671A JANTX1N3671AR JANTX1N3673A JANTX1N3673AR JANTX1N3766 JANTX1N3766R JANTX1N3768 JANTX1N3768R JANTX1N3821A-1 JANTX1N3821AUR-1 JANTX1N3821C-1 JANTX1N3821CUR-1