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JANTX1N8243-IJ

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JANTX1N8243-IJ 技术参数
  • JANTX1N823UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/159 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTX1N823-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/159 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N821UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/159 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTX1N821-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/159 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1 JANTX1N759DUR-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTX1N935BUR-1 JANTX1N937B-1 JANTX1N937BUR-1 JANTX1N938B-1 JANTX1N938BUR-1 JANTX1N941BUR-1 JANTX1N942B-1 JANTX1N943B-1 JANTX1N944B-1 JANTX1N945B-1 JANTX1N961BUR-1 JANTX1N962B-1 JANTX1N962BUR-1 JANTX1N962C-1 JANTX1N962CUR-1 JANTX1N962D-1 JANTX1N962DUR-1 JANTX1N963B-1
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