JANTX1N943-1

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JANTX1N943-1 技术参数

JANTX1N942B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/157 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N941BUR-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/157 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N938BUR-1 功能描述:Zener Diode 9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/156 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N938B-1 功能描述:Zener Diode 9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/156 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N937BUR-1 功能描述:Zener Diode 9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/156 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N962DUR-1 JANTX1N963B-1 JANTX1N963BUR-1 JANTX1N963C-1 JANTX1N963CUR-1 JANTX1N963D-1 JANTX1N963DUR-1 JANTX1N964B-1 JANTX1N964BUR-1 JANTX1N964C-1 JANTX1N964D-1 JANTX1N964DUR-1 JANTX1N965B-1 JANTX1N965BUR-1 JANTX1N965CUR-1 JANTX1N965D-1 JANTX1N965DUR-1 JANTX1N966B-1