JANTX1N962B-IH

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JANTX1N962B-IH 技术参数

JANTX1N962B-1 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/117 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:9.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N961BUR-1 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:aeroflex metelics, division of macom 系列:军用，MIL-PRF-19500/117 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 7.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTX1N945B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/157 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N944B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/157 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N943B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/157 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N963D-1 JANTX1N963DUR-1 JANTX1N964B-1 JANTX1N964BUR-1 JANTX1N964C-1 JANTX1N964D-1 JANTX1N964DUR-1 JANTX1N965B-1 JANTX1N965BUR-1 JANTX1N965CUR-1 JANTX1N965D-1 JANTX1N965DUR-1 JANTX1N966B-1 JANTX1N966BUR-1 JANTX1N966C-1 JANTX1N966CUR-1 JANTX1N966D-1 JANTX1N966DUR-1