JANTX1N964B-1H

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JANTX1N964B-1H 技术参数

JANTX1N964B-1 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:13 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 9.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1 JANTX1N963DUR-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/117 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTX1N963D-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/117 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1 JANTX1N963CUR-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/117 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTX1N963C-1 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/117 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1 JANTX1N966B-1 JANTX1N966BUR-1 JANTX1N966C-1 JANTX1N966CUR-1 JANTX1N966D-1 JANTX1N966DUR-1 JANTX1N967B-1 JANTX1N967BUR-1 JANTX1N967C-1 JANTX1N967CUR-1 JANTX1N967D-1 JANTX1N967DUR-1 JANTX1N968B-1 JANTX1N968BUR-1 JANTX1N968C-1 JANTX1N968CUR-1 JANTX1N968D-1 JANTX1N968DUR-1