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JANTX2N1162A

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JANTX2N1162A 技术参数
  • JANTX1N992B-1 功能描述:Zener Diode 200V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):2500 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N986DUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):110V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):750 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 84V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTX1N986D-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):110V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):750 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 84V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1 JANTX1N986CUR-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):110V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):750 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 84V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTX1N986C-1 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):110V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):750 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 84V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35(DO-204AH) 标准包装:1 JANTX2N2218A JANTX2N2218AL JANTX2N2219 JANTX2N2219A JANTX2N2219AL JANTX2N2221A JANTX2N2221AL JANTX2N2221AUA JANTX2N2221AUB JANTX2N2222A JANTX2N2222AL JANTX2N2222AUA JANTX2N2222AUA/TR JANTX2N2222AUB JANTX2N2222AUB/TR JANTX2N2323 JANTX2N2323A JANTX2N2323AS
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