JANTX2N4440

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JANTX2N4440 技术参数

JANTX2N4416AUB 功能描述:JFET N-Channel 35V 15mA @ 15V 300mW Surface Mount 4-SMD 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:35V 漏源极电压（Vdss）:35V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:15mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:6V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 功率 - 最大值:300mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，无引线供应商器件封装:4-SMD 标准包装:1 JANTX2N4405 功能描述:TRANS NPN TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 工作温度:200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 JANTX2N4399 功能描述:TRANS PNP 60V 30A TO-3 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/433 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:750mV @ 1A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 15A，2V 功率 - 最大值:5W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3（TO-204AA）标准包装:1 JANTX2N4261UB 功能描述:TRANS PNP 15V 0.03A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/511 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 JANTX2N4261 功能描述:TRANS PNP 15V 0.03A TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/511 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-72-3 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 JANTX2N4957UB JANTX2N5002 JANTX2N5003 JANTX2N5004 JANTX2N5038 JANTX2N5039 JANTX2N5109 JANTX2N5151 JANTX2N5151L JANTX2N5152 JANTX2N5152L JANTX2N5153 JANTX2N5153L JANTX2N5154 JANTX2N5154L JANTX2N5157 JANTX2N5237 JANTX2N5237S