JANTXV1N3002RA

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JANTXV1N3002RA 技术参数

JANTXV1N2999B 功能描述:Zener Diode 56V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:16 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTXV1N2991B 功能描述:Zener Diode 36V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTXV1N2990B 功能描述:Zener Diode 33V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTXV1N2989B 功能描述:Zener Diode 30V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTXV1N2974RB 功能描述:Zener Diode 10V 10W ±5% Stud Mount DO-213AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/124 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 7.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA（DO-4）标准包装:1 JANTXV1N3017C-1 JANTXV1N3017CUR-1 JANTXV1N3017D-1 JANTXV1N3017DUR-1 JANTXV1N3018B-1 JANTXV1N3018BUR-1 JANTXV1N3018C-1 JANTXV1N3018CUR-1 JANTXV1N3018D-1 JANTXV1N3018DUR-1 JANTXV1N3019B-1 JANTXV1N3019BUR-1 JANTXV1N3019C-1 JANTXV1N3019CUR-1 JANTXV1N3019D-1 JANTXV1N3019DUR-1 JANTXV1N3020B-1 JANTXV1N3020BUR-1