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JANTXV1N3022

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JANTXV1N3022 技术参数

JANTXV1N3021DUR-1 功能描述:Zener Diode 11V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB（MELF，LL41）标准包装:1 JANTXV1N3021D-1 功能描述:Zener Diode 11V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 JANTXV1N3021CUR-1 功能描述:Zener Diode 11V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB（MELF，LL41）标准包装:1 JANTXV1N3021C-1 功能描述:Zener Diode 11V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 JANTXV1N3021BUR-1 功能描述:Zener Diode 11V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/115 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB（MELF，LL41）标准包装:1 JANTXV1N3023CUR-1 JANTXV1N3023D-1 JANTXV1N3023DUR-1 JANTXV1N3024B-1 JANTXV1N3024BUR-1 JANTXV1N3024C-1 JANTXV1N3024CUR-1 JANTXV1N3024D-1 JANTXV1N3024DUR-1 JANTXV1N3025B-1 JANTXV1N3025BUR-1 JANTXV1N3025C-1 JANTXV1N3025CUR-1 JANTXV1N3025D-1 JANTXV1N3025DUR-1 JANTXV1N3026B-1 JANTXV1N3026BUR-1 JANTXV1N3026C-1