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JANTXV2N5010S

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  • JANTXV2N5010S
    JANTXV2N5010S

    JANTXV2N5010S

  • 深圳市莱特斯电子科技有限公司
    深圳市莱特斯电子科技有限公司

    联系人:江先生

    电话:19176527791

    地址:深圳市福田区赛格广场1609A

    资质:营业执照

  • 9600

  • MSC

  • 标准封装

  • 21+

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  • ?只做原装进口,承诺假一罚十,授权分销商...

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JANTXV2N5010S PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Trans GP BJT NPN 0.2A 3-Pin TO-39
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • NPN TRANSISTOR - Bulk
JANTXV2N5010S 技术参数
  • JANTXV2N5005 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/535 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 2.5A,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:TO-210AA,TO-59-4,接线柱 供应商器件封装:TO-59 标准包装:1 JANTXV2N5003 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/535 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 2.5A,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:TO-210AA,TO-59-4,接线柱 供应商器件封装:TO-59 标准包装:1 JANTXV2N5002 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/534 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 2.5A,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:TO-210AA,TO-59-4,接线柱 供应商器件封装:TO-59 标准包装:1 JANTXV2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:UB 标准包装:1 JANTXV2N4957 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-72-3 金属罐 供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 JANTXV2N5237 JANTXV2N5237S JANTXV2N5238 JANTXV2N5238S JANTXV2N5339 JANTXV2N5339U3 JANTXV2N5415 JANTXV2N5415S JANTXV2N5416 JANTXV2N5416S JANTXV2N5416U4 JANTXV2N5416UA JANTXV2N5581 JANTXV2N5582 JANTXV2N5662 JANTXV2N5663 JANTXV2N5664 JANTXV2N5665
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