LEUWE3B-PZQZ-4C8F-Z

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LEUWE3B-PZQZ-4C8F-Z
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
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LEUWE3B-PZQZ-4C8F-Z 技术参数

LET9180 功能描述:IC RF TRANSISTOR LDMOS M246 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:860MHz 增益:20dB 电压 - 测试:32V 额定电流:24A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:175W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:M246 供应商器件封装:M246 标准包装:20 LET9150 功能描述:MOSFET N-CH 80V 20A M-246 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:860MHz 增益:20dB 电压 - 测试:32V 额定电流:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA 功率 - 输出:150W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:M246 供应商器件封装:M246 标准包装:20 LET9120 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A M-246 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:860MHz 增益:18dB 电压 - 测试:32V 额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:150W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:M246 供应商器件封装:M246 标准包装:20 LET9070CB 功能描述:MOSF RF N CH 80V 12A M243 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:80W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:M243 供应商器件封装:M243 标准包装:25 LET9060TR 功能描述:RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:17.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:60W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）标准包装:1 LEV200A4NAF01 LEV200A5ANA LEV200A5NAA LEV200A5NAF LEV200A6NAF LEV200A9ANA LEV200ABNAA LEV200ALANA LEV200AOANA LEV200H4ANA LEV200H5ANA LEV200H6ANA LEV200H9ANA LEV200HOANA01 LEV200L5ANF LEVER ASSY VG-L2 LEVER SG-L1 LEVER SG-L14