LM5109SDX

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制造商
NSC
制造商全称
National Semiconductor
功能描述
100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver

LM5109SDX 技术参数

LM5109SD 功能描述:IC DVR HALF-BRIDGE 100V 1A 8LLP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LM5109MAX/NOPB 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5109MAX 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5109MA/NOPB 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5109MA 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5110-2M/NOPB LM5110-2MX LM5110-2MX/NOPB LM5110-2SD LM5110-2SD/NOPB LM5110-2SDX LM5110-2SDX/NOPB LM5110-3M LM5110-3M/NOPB LM5110-3MX LM5110-3MX/NOPB LM5110-3SD LM5110-3SD/NOPB LM5110-3SDX LM5110-3SDX/NOPB LM5111-1M LM5111-1M/NOPB LM5111-1MX