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LT1911

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  • LT1911CMS#PBF
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 865000

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  • LT1911EMS8 1.5TR
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LT1911 技术参数
  • LT1910IS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER HI-SIDE 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LT1910IS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER HI-SIDE 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端,独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) LT1910ES8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LT1910ES8#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端,独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) LT1886CS8#TRPBF 功能描述:IC OPAMP DUAL 200MA 700MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:100 系列:- 放大器类型:通用 电路数:1 输出类型:- 转换速率:0.2 V/µs 增益带宽积:- -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:100pA 电压 - 输入偏移:30µV 电流 - 电源:380µA 电流 - 输出 / 通道:- 电压 - 电源,单路/双路(±):±2 V ~ 18 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SO 包装:管件 LT1920CS8#PBF LT1920CS8#TRPBF LT1920IN8#PBF LT1920IS8#PBF LT1920IS8#TRPBF LT1930AES5#TRMPBF LT1930AES5#TRPBF LT1930ES5#TRMPBF LT1930ES5#TRPBF LT1931AES5#TRMPBF LT1931AES5#TRPBF LT1931AIS5#TRMPBF LT1931AIS5#TRPBF LT1931ES5#TRMPBF LT1931ES5#TRPBF LT1931IS5#TRMPBF LT1931IS5#TRPBF LT1932ES6#TRMPBF
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