LTC4444EMS8E#PBF/IM

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LTC4444EMS8E#PBF/IM
深圳市荣泽信电子科技有限公司
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电话：18028731859
地址：华富村东区417室
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LTC4444EMS8E#PBF/IM 技术参数

LTC4444EMS8E#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 8-MSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立输入类型:非反相延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) LTC4442IMS8E-1#TRPBF 功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LTC4442IMS8E-1#PBF 功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LTC4442IMS8E#TRPBF 功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LTC4442IMS8E#PBF 功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LTC4444IMS8E-5#PBF LTC4444IMS8E-5#TRPBF LTC4444MPMS8E#PBF LTC4444MPMS8E#TRPBF LTC4444MPMS8E-5#PBF LTC4444MPMS8E-5#TRPBF LTC4446EMS8E#PBF LTC4446EMS8E#TRPBF LTC4446IMS8E#PBF LTC4446IMS8E#TRPBF LTC4447EDD#PBF LTC4447IDD#PBF LTC4449EDCB#TRMPBF LTC4449EDCB#TRPBF LTC4449IDCB#TRMPBF LTC4449IDCB#TRPBF LTC4555EUD#PBF LTC4555EUD#TRPBF