M25P05-AVMN6TP功能描述:闪存 3.0V 512K (64Kx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:ReelM25P05-AVMN6T功能描述:闪存 3.0V 512K (64Kx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:ReelM25P05-AVMN6P功能描述:闪存 Lo-Volt 512K (64Kx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:ReelM25P05-AVMB6TP功能描述:IC SRL FLASH 512KBIT 3V 8UFDFPN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Forté™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQM25P05-AVDW6TP功能描述:闪存 512 KB Lo Vltg Serial 闪存 memory RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:ReelM25P10-AVMN3TP/Y TRM25P10-AVMN6PM25P10-AVMN6PYAM25P10-AVMN6TM25P10-AVMN6TPM25P10-AVMN6TP TRM25P10-AVMN6TPYA TRM25P10-AVMP6GM25P10-AVMP6TM25P10-AVMP6TGM25P10-AVMP6TG TRM25P10K4F1M25P128-VME6GM25P128-VME6GBM25P128-VME6TGM25P128-VME6TG TRM25P128-VME6TGBM25P128-VMF6P