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M29F100T-120N3RTR

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M29F100T-120N3RTR
深圳市新良宇电子有限公司
深圳市新良宇电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8323763213302457603
地址：福田区振兴路华匀大厦221室
56912
STMicroelectronics
IC 64K X 16 FLASH 5V
23+
-
原装现货欢迎来电查询！

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M29F100T-120N3RTR 技术参数

M29F080D90N1 功能描述:闪存 8M (1Mx8) 90ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F080D70N6E 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F080D70N6 功能描述:闪存 8M (1Mx8) 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F080D70N1 功能描述:闪存 8M (1Mx8) 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F080D70M6 功能描述:闪存 8M (1Mx8) 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F160FT5AN6F2 M29F160FT5AN6F2 TR M29F200BB45N1 M29F200BB50N3 M29F200BB70M6E M29F200BB70N6 M29F200BB70N6E M29F200BB70N6T M29F200BT70M6E M29F200BT70N1 M29F200BT70N6E M29F200FB55M3E2 M29F200FB55M3F2 TR M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3F2 TR M29F200FB5AN6E2 M29F200FT55M3E2 M29F200FT55M3F2 TR