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M29W200BB55N1E

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  • 深圳市新良宇电子有限公司
    深圳市新良宇电子有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-8323763213302457603

    地址：福田区振兴路华匀大厦221室

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  • STMicroelectronics

  • IC 128K X 16 FLASH 3

  • 23+

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M29W200BB55N1E 技术参数
  • M29W200BB55N1 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W160FT70N3F 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ M29W160FB70N3F 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ M29W160FB70N3E 功能描述:IC FLASH 16MB 70NS 48TSOP AUTO RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ M29W160ET90ZA6T 功能描述:闪存 16M (2Mx8 or 1Mx16) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W256GH70N6E M29W256GH70N6F M29W256GH70N6F TR M29W256GH70ZA6E M29W256GH70ZA6F M29W256GH70ZA6F TR M29W256GH70ZS6E M29W256GH70ZS6F M29W256GH70ZS6F TR M29W256GH7AN6E M29W256GH7AN6F TR M29W256GH7AZA6E M29W256GH7AZS6E M29W256GH7AZS6F TR M29W256GL70N6E M29W256GL70N6F M29W256GL70N6F TR M29W256GL70ZA6E
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