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M29W2OOBB9ON1

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M29W2OOBB9ON1 技术参数

M29W256GSL70ZS6F 功能描述:SECURE 256MB 3V 70NS LBP 64LBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) M29W256GSL70ZS6E 功能描述:IC FLASH SEC 128MB 3V LBP 64LBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) M29W256GSH70ZS6F 功能描述:IC FLASH SEC 256MB 3V HBP 64LBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) M29W256GSH70ZS6E 功能描述:IC FLASH SEC 256MB 3V HBP 64LBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) M29W256GL7AZS6F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64FBGA M29W320DB70ZE6E M29W320DB70ZE6F M29W320DB70ZE6F TR M29W320DB7AN6E M29W320DB7AN6F TR M29W320DB7AZA6E M29W320DB7AZA6F TR M29W320DB80ZA3E M29W320DB80ZA3F TR M29W320DB90N6 M29W320DT70N3E M29W320DT70N3F M29W320DT70N3F TR M29W320DT70N6E M29W320DT70N6F M29W320DT70N6F TR M29W320DT70ZE6E M29W320DT70ZE6F