M29W320DB70N6.

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M29W320DB70N6. 技术参数

M29W320DB70N6 功能描述:闪存 4Mx8 or 2Mx16 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W320DB70N3F 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 3V 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M29W320DB70N3E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP M29W256GSL70ZS6F 功能描述:SECURE 256MB 3V 70NS LBP 64LBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) M29W256GSL70ZS6E 功能描述:IC FLASH SEC 128MB 3V LBP 64LBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) M29W320DB7AN6F TR M29W320DB7AZA6E M29W320DB7AZA6F TR M29W320DB80ZA3E M29W320DB80ZA3F TR M29W320DB90N6 M29W320DT70N3E M29W320DT70N3F M29W320DT70N3F TR M29W320DT70N6E M29W320DT70N6F M29W320DT70N6F TR M29W320DT70ZE6E M29W320DT70ZE6F M29W320DT70ZE6F TR M29W320DT90N6 M29W320EB70N6 M29W320EB70N6E