M5818BI

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M5818BI 技术参数

M57962L 功能描述:IC GATE DRVR FOR IGBT MOD RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 M57962CL-01 功能描述:IC GATE DRVR FOR IGBT MOD RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 M57959L 功能描述:IC GATE DRVR FOR IGBT MOD RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 M57184N-715B 功能描述:CONV DC-DC STPDWN IPM 9-SIP 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:非隔离 PoL 模块输出数:2 电压 - 输入（最小值）:140V 电压 - 输入（最大值）:360V 电压 - 输出 1:15V 电压 - 输出 2:5V 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:350mA，200mA 功率（W） - 制造系列:6W 电压 - 隔离:- 应用:ITE（商业）特性:- 安装类型:通孔封装/外壳:18-SIP 模块（9 引线）大小/尺寸:2.05" 长 x 0.47" 宽 x 0.95" 高（52.1mm x 11.9mm x 24.1mm）工作温度:-20°C ~ 70°C 效率:- 功率（W） - 最大值:6W 标准包装:1 M57182N-315F 功能描述:CONV DC/DC HI-VOLT INPUT 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:非隔离 PoL 模块输出数:1 电压 - 输入（最小值）:140V 电压 - 输入（最大值）:380V 电压 - 输出 1:15V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:200mA 功率（W） - 制造系列:3W 电压 - 隔离:- 应用:ITE（商业）特性:- 安装类型:通孔封装/外壳:12-SIP 模块（6 引线）大小/尺寸:1.38" 长 x 0.34" 宽 x 0.79" 高（35.1mm x 8.6mm x 20.1mm）工作温度:-10°C ~ 70°C 效率:70% 功率（W） - 最大值:3W 标准包装:1 M58BW016FB7T3T M58BW016FB7T3T TR M58BW16FB4T3F M58BW16FB4T3T M58BW16FB4T3T TR M58BW16FB4ZA3F TR M58BW16FB4ZA3T M58BW16FB5T3F TR M58BW16FB5T3T M58BW16FB5T3T TR M58BW16FB5ZA3F M58BW16FB5ZA3F TR M58BW32FB4T3F M58BW32FB4T3T M58BW32FB4T3T TR M58BW32FB4ZA3F M58BW32FB4ZA3T M58BW32FB5T3F TR