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M93C66WDW3TP

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

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M93C66WDW3TP 技术参数
  • M93C66-RMN3TP/K 功能描述:EEPROM MICROWIRE 4KB 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K(512 x 8 或 256 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 M93C66-RMC6TG 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4Kbit MICROWIRE EE 1.8 V to 5.5 V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 M93C66-RMB6TG 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 16 Kbit 8 Kbit 4Kbit 2 Kbit and 1 Kbit RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 M93C66-RDW3TP/K 功能描述:EEPROM MICROWIRE 4KB 8TSSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K(512 x 8 或 256 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 M93C66-MN6TP 功能描述:IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) M93C76-RMN3TP/K M93C76-WMN6P M93C76-WMN6T M93C76-WMN6TP M93C86-MN6 M93C86-MN6P M93C86-MN6T M93C86-MN6TP M93C86-RDW3TP/K M93C86-RMN3TP/K M93C86-WBN6P M93C86-WDW6TP M93C86-WMN6 M93C86-WMN6P M93C86-WMN6TP M93S46-MN6T M93S46-WMN6 M93S46-WMN6P
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