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MAP80-1012G

配单专家企业名单
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  • MAP80-1012G
    MAP80-1012G

    MAP80-1012G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Bel Power Solutions

  • 原厂封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • MAP80-1012G
    MAP80-1012G

    MAP80-1012G

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Bel Power Solutions

  • 原厂封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

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  • 功能描述
  • 线性和开关式电源 80W 12V 7.5A 15V 6A
  • RoHS
  • 制造商
  • TDK-Lambda
  • 产品
  • Switching Supplies
  • 开放式框架/封闭式
  • Enclosed
  • 输出功率额定值
  • 800 W
  • 输入电压
  • 85 VAC to 265 VAC
  • 输出端数量
  • 1
  • 输出电压(通道 1)
  • 20 V
  • 输出电流(通道 1)
  • 40 A
  • 商用/医用
  • 输出电压(通道 2)
  • 输出电流(通道 2)
  • 安装风格
  • Rack
  • 长度
  • 宽度
  • 高度
MAP80-1012G 技术参数
  • MAP6KE91CAE3 功能描述:TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):77.8V 电压 - 击穿(最小值):86.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):4.8A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MAP6KE91CA 功能描述:TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):77.8V 电压 - 击穿(最小值):86.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):4.8A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MAP6KE91AE3 功能描述:TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):77.8V 电压 - 击穿(最小值):86.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):4.8A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MAP6KE91A 功能描述:TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):77.8V 电压 - 击穿(最小值):86.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):4.8A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MAP6KE9.1CAE3 功能描述:TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):7.78V 电压 - 击穿(最小值):8.65V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:13.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):45A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1 MAP80-4003G MAP80-4004 MAP80-4004G MAP80-4010 MAP80-4010G MAP-9 MAPC-104-C MAPD-008108-C202C0 MAPD-008108-C202TB MAPD-009492-C2W180 MAPD-009492-C2W1TB MAPD-009918-C209C0 MAPD-011007 MAPD-011018 MAPD-011026 MAPD-011027 MAPD-011035 MAPD-011040
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