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MBR10100MFST3G

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  • 北京京华特科技有限公司
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MBR10100MFST3G 技术参数
  • MBR10100CTP 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):850mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 MBR10100CT 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):850mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 MBR10100 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):850mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MB-PRO-MVK 功能描述:MAVRK Series Motherboard; MCU, AFE, RF, ADC/DAC, Interface Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:MAVRK 零件状态:停产 主要用途:主板;MCU,AFE,RF,ADC/DAC,接口 嵌入式:否 使用的 IC/零件:- 主要属性:MCU 插槽,4 个 AFE 插槽,4 个信号调节插槽,4 个 RF 插槽 辅助属性:状态 LED 所含物品:板 标准包装:1 MBPK3225HR68N 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:MB-H 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:绕线 材料 - 磁芯:金属 电感:680nH 容差:±30% 额定电流:3.5A 电流 - 饱和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):30 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.055"(1.40mm) 标准包装:1 MBR10150CT-LJ MBR10150CTP MBR10150HC0G MBR10200 C0G MBR10200CD-E1 MBR10200CD-G1 MBR10200CDTR-E1 MBR10200CDTR-G1 MBR10200CS2-E1 MBR10200CS2-G1 MBR10200CS2TR-E1 MBR10200CS2TR-G1 MBR10200CT MBR10200CT C0G MBR10200CT-E1 MBR10200CTF-E1 MBR10200CTF-G1 MBR10200CT-G1
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