MBR400T3

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MBR400T3 技术参数

MBR40045CTS 功能描述:DIODE MODULE 45V 400A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:400A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 36V 安装类型:螺钉安装封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:25 MBR40040CTR 功能描述:DIODE MODULE 40V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:400A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR40040CT 功能描述:DIODE MODULE 40V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:400A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR40035CTR 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:400A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 35V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR40035CT 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:400A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 35V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR40150WT MBR4015CTL MBR4015CTLG MBR4015LWT MBR4015LWTG MBR40200CT MBR40200PT C0G MBR40200PTE3/TU MBR40200PTHC0G MBR40200WT MBR40250 MBR40250G MBR40250T MBR40250TG MBR4030CT MBR4030PT MBR4035PT MBR4035PT C0G