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MBRH2060CT

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  • MBRH2060CT
    MBRH2060CT

    MBRH2060CT

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • SIRCET

  • TO220

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MBRH2060CT 技术参数
  • MBRH20045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 200A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io):200A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-67 供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBRH20045 功能描述:DIODE MODULE 45V 200A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io):200A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-67 供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:* 标准包装:50 MBRH12045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io):120A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-67 半封装 供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBRH12040R 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):120A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-67 半封装 供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBRH12040 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A D67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):120A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4mA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:* 封装/外壳:D-67 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:* 标准包装:50 MBRH24030R MBRH24035 MBRH24035R MBRH24040 MBRH24040R MBRH24045 MBRH24045R MBRH24060 MBRH24060R MBRH24080 MBRH24080R MBRH30020L MBRH30020RL MBRH30030L MBRH30030RL MBRH30035L MBRH30035RL MBRH30040L
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