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MBRP200200

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MBRP200200 技术参数
  • MBRM3100-13-F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 3A 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):760mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:100pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:Powermite?3 供应商器件封装:Powermite 3 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:5,000 MBRH20045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 200A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io):200A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-67 供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBRH20045 功能描述:DIODE MODULE 45V 200A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io):200A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-67 供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:* 标准包装:50 MBRH12045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io):120A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-67 半封装 供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBRH12040R 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):120A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 120A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-67 半封装 供应商器件封装:D-67 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBRP745TU MBRR1-01 MBRS10100 MNG MBRS10100CT MNG MBRS10100CTHMNG MBRS10100HMNG MBRS10150 MNG MBRS10150CT MNG MBRS10150CTHMNG MBRS10150HMNG MBRS1035 MNG MBRS1035CT MNG MBRS1035CTHMNG MBRS1035HMNG MBRS1045 MNG MBRS1045CT MNG MBRS1045CTHMNG MBRS1045HMNG
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