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MJD350T4H

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    深圳市毅创辉电子科技有限公司

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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MJD350T4H 技术参数
  • MJD350T4 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD340T4 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD32CT4-A 功能描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD32CT4 功能描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD32CQ-13 功能描述:TRANS PNP 100V 3A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:3MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 MJD42CG MJD42CRL MJD42CRLG MJD42CT4 MJD42CT4G MJD44E3T4G MJD44H11-001 MJD44H11-1G MJD44H11G MJD44H11RLG MJD44H11T4 MJD44H11T4-A MJD44H11T4G MJD44H11T5 MJD44H11T5G MJD44H11TF MJD44H11TM MJD45H11-001
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