MJE18006G全国供应商 MJE18006G资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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批号
价格
说明
操作

MJE18006G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ONS
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

MJE18006G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
ON SEMICO
TUBE
1521+
-
全新原装现货

MJE18006G
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
12824
ON/安森美
NA
-

MJE18006G
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
17814
ON/安森美
TO-220
22+
-

MJE18006G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ON
TO220
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

MJE18006G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
69200
ON
TO-220
18+
-
全新原装，优势库存

MJE18006G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-220 3 LEAD STANDARD
ON
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
两极晶体管 - BJT BIP NPN 8A 450V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

MJE18006G 技术参数

MJE172 功能描述:TRANS PNP 80V 3A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:12.5W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:2,000 MJD50T4 功能描述:TRANS NPN 400V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD47T4 功能描述:TRANS NPN 250V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD45H11T4 功能描述:TRANS PNP 80V 8A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD44H11T4-A 功能描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 MJE182G MJE182STU MJE200G MJE200STU MJE200TSTU MJE210 MJE210G MJE210STU MJE210T MJE210TG MJE243G MJE253G MJE270 MJE270G MJE271 MJE271G MJE2955T MJE2955TG