MLP2012H1R5MT0S1全国供应商【买卖IC网】MLP2012H1R5MT0S1资料|PDF Datasheet|价格 TDK

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封装
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价格
说明
操作

MLP2012H1R5MT0S1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
TDK Corporation
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

MLP2012H1R5MT0S1
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5011
TDK
NEW IN ORIGINAL
23+
-
原厂原装正品现货

MLP2012H1R5MT0S1
深圳市崧晔达科技有限公司
深圳市崧晔达科技有限公司
联系人：苑小姐
电话：13926591096
地址：深圳市福田区新亚洲二期N1A160
资质：营业执照
11
TDK
N/A
17+
-
原装现货

MLP2012H1R5MT0S1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
TDK
SMD
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

MLP2012H1R5MT0S1
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
4459
TDK Corporation
0805（2012 公制）
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

MLP2012H1R5MT0S1
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
2000
TDK Corporation
原厂封装
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

MLP2012H1R5MT0S1
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
11
TDK
N/A
17+
-
13661385246进口原装现货。最新...

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功能描述
1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric)
制造商
tdk corporation
系列
MLP
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
类型
多层
材料 - 磁芯
铁氧体
电感
1.5μH
容差
±20%
额定电流
1.1A
电流 - 饱和值
-
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
156 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 125°C
频率 - 测试
2MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
0805（2012 公制）
大小/尺寸
0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）
高度 - 安装（最大值）
0.039"（1.00mm）
标准包装
1

MLP2012H1R5MT0S1 技术参数

MLP2012H1R0MT0S1 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:1μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:156 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 MLP1N06CLG 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube MLP1N06CL 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube MLP193M7R5EK0A 功能描述:19000μF 7.5V Aluminum Capacitors FlatPack, Tabbed 76 mOhm 2000 Hrs @ 85°C 制造商:cornell dubilier electronics (cde) 系列:MLP 包装:散装零件状态:有效电容:19000μF 容差:±20% 额定电压:7.5V ESR（等效串联电阻）:76 毫欧不同温度时的使用寿命:85°C 时为 2000 小时工作温度:-55°C ~ 85°C 极化:- 应用:通用纹波电流:4.2A 阻抗:- 引线间距:1.000"（25.40mm）大小/尺寸:1.500" 长 x 1.750" 宽（38.10mm x 44.45mm）高度 - 安装（最大值）:0.500"（12.70mm）表面贴装焊盘尺寸:- 安装类型:底座安装封装/外壳:扁平封装，焊片式标准包装:1 MLP1608VR47DT0S1 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 800mA 286 mOhm Max 0603 (1608 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:470nH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:286 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0603（1608 公制）大小/尺寸:0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.030"（0.75mm）标准包装:1 MLP2012S1R0TT0S1 MLP2012S1R5MT0S1 MLP2012S1R5T MLP2012S1R5TT0S1 MLP2012S2R2MT0S1 MLP2012S2R2T MLP2012S2R2TT0S1 MLP2012S3R3MT0S1 MLP2012S4R7MT0S1 MLP2012SR47MT0S1 MLP2012SR47T MLP2012SR47TT0S1 MLP2012SR82T MLP2012SR82TT0S1 MLP2012V1R0MT0S1 MLP2012V1R0T MLP2012V1R0TT MLP2012V1R0TT0S1

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