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MLP2012HR54M

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    MLP2012HR54MT

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 标准封装

  • 16+

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • MLP2012HR54MT
    MLP2012HR54MT

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • TDK

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  • MLP2012HR54MT0S1
    MLP2012HR54MT0S1

    MLP2012HR54MT0S1

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 8866

  • TDK Corporation

  • N/A

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • MLP2012HR54MT
    MLP2012HR54MT

    MLP2012HR54MT

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • TDK Corporation

  • 原厂封装

  • 20+

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  • 原装正品,专注原装正品十五年

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MLP2012HR54M 技术参数
  • MLP2012HR47MT0S1 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 91 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:1.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):91 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 MLP2012H2R2MT0S1 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1A 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):195 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 MLP2012H1R5MT0S1 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):156 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 MLP2012H1R0MT0S1 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):156 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 MLP1N06CLG 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube MLP2012S2R2MT0S1 MLP2012S2R2T MLP2012S2R2TT0S1 MLP2012S3R3MT0S1 MLP2012S4R7MT0S1 MLP2012SR47MT0S1 MLP2012SR47T MLP2012SR47TT0S1 MLP2012SR82T MLP2012SR82TT0S1 MLP2012V1R0MT0S1 MLP2012V1R0T MLP2012V1R0TT MLP2012V1R0TT0S1 MLP2012V1R5MT MLP2012V1R5MT0S1 MLP2012V2R2MT MLP2012V2R2MT0S1
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