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MLP2012S1R5TT

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  • MLP2012S1R5TT0S1
    MLP2012S1R5TT0S1

    MLP2012S1R5TT0S1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 标准封装

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  • MLP2012S1R5TT000
    MLP2012S1R5TT000

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • TDK

  • O805

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  • MLP2012S1R5TT0S1
    MLP2012S1R5TT0S1

    MLP2012S1R5TT0S1

  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

    资质:营业执照

  • 133000

  • TDK

  • SMD

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  • MLP2012S1R5TT0S1
    MLP2012S1R5TT0S1

    MLP2012S1R5TT0S1

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

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    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • TDK Corporation

  • 原厂封装

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  • 制造商
  • TDK
  • 功能描述
  • Ind Power Shielded Multi-Layer 1.5uH 20% 2MHz Ferrite 700mA 0805 T/R
MLP2012S1R5TT 技术参数
  • MLP2012S1R5T 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 700mA 270 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:700mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):270 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 MLP2012S1R5MT0S1 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1A 208 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):208 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 MLP2012S1R0T 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 299 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):299 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.022"(0.55mm) 标准包装:1 MLP2012S1R0MT0S1 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1A 208 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):208 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 MLP2012HR54MT0S1 功能描述:540nH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 84.5 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:540nH 容差:±20% 额定电流:1.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):84.5 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 MLP2012SR82T MLP2012SR82TT0S1 MLP2012V1R0MT0S1 MLP2012V1R0T MLP2012V1R0TT MLP2012V1R0TT0S1 MLP2012V1R5MT MLP2012V1R5MT0S1 MLP2012V2R2MT MLP2012V2R2MT0S1 MLP2012V4R7MT MLP2012V4R7MT0S1 MLP2012VR47MT0S1 MLP2016H1R0MT MLP2016H1R0MT0S1 MLP2016H1R5MT MLP2016H1R5MT0S1 MLP2016H2R2MT
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