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MMBT5451

配单专家企业名单
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  • MMBT5451DW
    MMBT5451DW

    MMBT5451DW

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 0

  • ST(先科)

  • NA

  • 23+

  • -
  • 小信号晶体管

  • MMBT5451
    MMBT5451

    MMBT5451

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • FAIRCHILD/仙童

  • SOT-23

  • 21+

  • -
  • 优势供应 实单必成 可13点增值税

  • 1/1页 40条/页 共5条 
  • 1
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MMBT5451 技术参数
  • MMBT4126-7 功能描述:TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,1V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 MMBT3906FZ-7B 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN060 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:435mW 频率 - 跃迁:280MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:X2-DFN0606-3 标准包装:1 MMBT3906,215 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:MMBT3906 标准包装:1 MMBT3906 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 MMBT3904-HF 功能描述:TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 MMBT5551LT1G MMBT5551LT3G MMBT5551M3T5G MMBT5551-TP MMBT5770 MMBT5771 MMBT589LT1G MMBT5962 MMBT6427 MMBT6427-7 MMBT6427-7-F MMBT6427LT1 MMBT6427LT1G MMBT6427LT3 MMBT6427LT3G MMBT6428 MMBT6428LT1 MMBT6428LT1G
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