MMBT589LT3G

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说明
操作

MMBT589LT3G
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
5388
ON/安森美
SOT-23
19+
-

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功能描述
两极晶体管 - BJT 2A 30V Switching PNP
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

MMBT589LT3G 技术参数

MMBT4126-7 功能描述:TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，1V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 MMBT3906FZ-7B 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN060 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:435mW 频率 - 跃迁:280MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:X2-DFN0606-3 标准包装:1 MMBT3906,215 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:MMBT3906 标准包装:1 MMBT3906 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 MMBT3904-HF 功能描述:TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 MMBT6428LT1 MMBT6428LT1G MMBT6429LT1 MMBT6429LT1G MMBT6515 MMBT6517LT1 MMBT6517LT1G MMBT6517LT3 MMBT6517LT3G MMBT6520LT1 MMBT6520LT1G MMBT6520LT3 MMBT6520LT3G MMBT6521LT1 MMBT6521LT1G MMBT6589T1G MMBT8099LT1 MMBT8099LT1G