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MMBTA9T

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • 原厂品牌

  • SOT89

  • 2010+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • MMBTA9T
    MMBTA9T

    MMBTA9T

  • 深圳市悦兴晨电子科技有限公司
    深圳市悦兴晨电子科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-8281200482811605

    地址:深圳市福田区上步工业区405栋607室 柜台号新亚洲二期N2B227

  • 10000

  • 蓝箭

  • SOT89

  • 2023+

  • -
  • 原装热卖

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MMBTA9T 技术参数
  • MMBTA92,215 功能描述:TRANS PNP 300V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):250nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):25 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:MMBTA92 标准包装:1 MMBTA92 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 MMBTA63-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:无货 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 MMBTA44-G 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):750mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 MMBTA42,215 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:MMBTA42 标准包装:1 MMBTH10RG MMBTH10-TP MMBTH11 MMBTH24 MMBTH24-7 MMBTH24-7-F MMBTH34 MMBTH81 MMBTH81_D87Z MMBV105GLT1 MMBV105GLT1G MMBV109LT1 MMBV109LT1G MMBV109LT3 MMBV109LT3G MMBV2101LT1 MMBV2101LT1G MMBV2105LT1
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