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MMSZ5234BS-7-0

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  • 深圳市英科美电子有限公司
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MMSZ5234BS-7-0 技术参数
  • MMSZ5227BS-7 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:无货 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):24 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 MMSZ5225BS-7-F 功能描述:DIODE ZENER 3V 200MW SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 基本零件编号:MMSZ5225B 标准包装:1 MMSTA64-7-F 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 MMSTA64-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 MMSTA63-7-F 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 MMSZ5234C-G3-18 MMSZ5234C-HE3-08 MMSZ5234C-HE3-18 MMSZ5234ET1 MMSZ5235B MMSZ5235B RHG MMSZ5235B-7 MMSZ5235B-7-F MMSZ5235B-E3-08 MMSZ5235B-E3-18 MMSZ5235B-G3-08 MMSZ5235B-G3-18 MMSZ5235B-HE3-08 MMSZ5235B-HE3-18 MMSZ5235BS-7 MMSZ5235BS-7-F MMSZ5235BT1 MMSZ5235BT1G
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