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MR106250R00TAE66

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说明
操作

MR106250R00TAE66
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Vishay Dale
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

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制造商
Vishay Dale
功能描述
RESISTOR 250 OHM 1/4W .01% WW

MR106250R00TAE66 技术参数

MR-1 功能描述:SENSOR CURRENT ID7.2MM OD22.4MM 制造商:kemet 系列:MR 零件状态:有效匝数比 - 初级:次级:* 频率:* 电感:- 额定电流:- DC 电阻（DCR）:- E.T.:- 安装类型:底座安装大小/尺寸:0.882" 长 x 0.760" 宽（22.40mm x 19.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.327"（8.30mm）端子类型:导线引线标准包装:80 MR0DL08BMA45R 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:MRAM（磁阻 RAM）存储容量:1M（128K x 8）速度:45ns 接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（8x8）标准包装:1 MR0DL08BMA45 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:MRAM（磁阻 RAM）存储容量:1M（128K x 8）速度:45ns 接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（8x8）标准包装:349 MR0D08BMA45R 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 45ns Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube MR0D08BMA45 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 45ns Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube MR10JTR500 MR10KT10L0 MR1208TRAY MR1225E24B1+6-FSR MR1225E24B1-FSR MR1225E24B2-FSR MR1225E24B-FSR MR1225H24B1+6-FSR MR1225H24B1-FSR MR1225H24B2-FSR MR1225H24B-FSR MR1225L24B1+6-FSR MR1225L24B1-FSR MR1225L24B2-FSR MR1225L24B-FSR MR1225M24B1+6-FSR MR1225M24B1-FSR MR1225M24B2-FSR