MSMLJ6.0CATR

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode TVS Single Bi-Dir 6V 3KW 2-Pin DO-214AB T/R
制造商
Microsemi
功能描述
Diode TVS Single Bi-Dir 6V 3KW 2-Pin DO-214AB T/R

MSMLJ6.0CATR 技术参数

MSMLJ6.0CAE3 功能描述:TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.67V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:291.3A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ6.0CA 功能描述:TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.67V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:291.3A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ6.0AE3 功能描述:TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.67V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:291.3A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ6.0A 功能描述:TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.67V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:291.3A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ58CAE3 功能描述:TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:93.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脉冲:3000W（3kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:DO-214AB 标准包装:1 MSMLJ64AE3 MSMLJ64CA MSMLJ64CAE3 MSMLJ7.0A MSMLJ7.0AE3 MSMLJ7.0CA MSMLJ7.0CAE3 MSMLJ7.5A MSMLJ7.5AE3 MSMLJ7.5CA MSMLJ7.5CAE3 MSMLJ70A MSMLJ70AE3 MSMLJ70CA MSMLJ70CAE3 MSMLJ75A MSMLJ75AE3 MSMLJ75CA