MT29F2G08ABBEAHCE

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MT29F2G08ABBEAHCE
深圳市华芯盛世科技有限公司
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MT29F2G08ABBEAHCE 技术参数

MT29F2G08ABBEAHC:E TR 功能描述:IC FLASH NAND 2GB 63VFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 MT29F2G08ABBEAHC:E 功能描述:IC FLASH NAND 2GB 63VFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX8 NAND FLASH PLASTIC IND 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX8 NAND FLASH PLASTIC IND TEMP PBF VFBGA 1.8V ASYNCH/PAG - Tape and Reel 制造商:Micron Technology 功能描述:256MX8 NAND FLASH PLASTIC IND MT29F2G08ABBEAH4-IT:E 功能描述:IC FLASH 2G 1.8V SLC 63VFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 MT29F2G08ABBEAH4:E TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 2GBIT 63VFBGA MT29F2G08ABDWP:D MT29F2G08ABDWP:D TR MT29F2G16AABWP MT29F2G16AABWP-ET MT29F2G16AADWP:D TR MT29F2G16AADWP-ET:D TR MT29F2G16ABAEAWP:E MT29F2G16ABAEAWP:E TR MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E TR MT29F2G16ABAEAWP-IT:E MT29F2G16ABAEAWP-IT:E TR MT29F2G16ABBEAH4:E MT29F2G16ABBEAH4:E TR MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR MT29F2G16ABBEAH4-IT:E