MT46V64M8FN75

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MT46V64M8FN75 技术参数

MT46V64M8FN-6:F TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT46V64M8FN-6:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:9M（256K x 36）速度:75ns 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14）包装:托盘其它名称:71V67703S75PFGI MT46V64M8FN-6 IT:F TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16）速度:110ns 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7）包装:托盘 MT46V64M8FN-6 IT:F 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT46V64M8FN-5B:D TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT46V64M8P-5B IT:J TR MT46V64M8P-5B L IT:F MT46V64M8P-5B L IT:J MT46V64M8P-5B L IT:J TR MT46V64M8P-5B:D MT46V64M8P-5B:D TR MT46V64M8P-5B:F MT46V64M8P-5B:F TR MT46V64M8P-5B:J MT46V64M8P-5B:J TR MT46V64M8P-6T IT:F MT46V64M8P-6T IT:F TR MT46V64M8P-6T L:F MT46V64M8P-6T L:F TR MT46V64M8P-6T:D MT46V64M8P-6T:D TR MT46V64M8P-6T:F MT46V64M8P-6T:F TR