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NCV8501A

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 2100

  • ON

  • ROHS

  • 13+

  • -
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    NCV8501A

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 6550

  • ON

  • SOP-8

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  • -
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NCV8501A 技术参数
  • NCV8461DR2G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:40V 1.2A HIGH SIDE DRIV - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:40V, 1.2A, HIGH SIDE DRIV - Cut TR (SOS) 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 40V 1.2A HIGH SIDE DRIV NCV8460ADR2G 功能描述:功率驱动器IC HIGH SIDE DRIVER WITH TEM RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCV8452STT3G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:40V SINGLE CHANNEL HS DRI - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 40V SINGLE CHANNEL HS DRI NCV8452STT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:40V SINGLE CHANNEL HS DRI - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 40V SINGLE CHANNEL HS DRI NCV8450STT3G 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED HIGH SIDE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8501D33G NCV8501D33R2 NCV8501D33R2G NCV8501D50 NCV8501D50G NCV8501D50R2 NCV8501D50R2G NCV8501D80 NCV8501D80G NCV8501D80R2 NCV8501D80R2G NCV8501DADJ NCV8501DADJG NCV8501DADJR2 NCV8501DADJR2G NCV8501PDW100 NCV8501PDW100G NCV8501PDW100R2
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