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NE3515S02-T1D-A

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  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：2394575513590206539

    地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 2300

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  • 原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

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  • 深圳市华雄半导体（集团）有限公司
    深圳市华雄半导体（集团）有限公司

    联系人：苗凤军

    电话：17623594308

    地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质：营业执照

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  • 功能描述
  • 射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • TriQuint Semiconductor
  • 技术类型
  • pHEMT
  • 频率
  • 500 MHz to 3 GHz
  • 增益
  • 10 dB
  • 噪声系数
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
  • 4 S
  • 漏源电压 VDS
  • 闸/源击穿电压
  • - 8 V
  • 漏极连续电流
  • 3 A
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 功率耗散
  • 10 W
  • 安装风格
  • 封装 / 箱体
NE3515S02-T1D-A 技术参数
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